У нас уже 242733 рефератов, курсовых и дипломных работ
Заказать диплом, курсовую, диссертацию


Быстрый переход к готовым работам

Мнение посетителей:

Понравилось
Не понравилось





Книга жалоб
и предложений

 





Название исследование влияния инженерных параметров активной области лавинного фотодиода на прозрачность структуры в целом
Количество страниц 106
ВУЗ СНАУ
Год сдачи 2011
Содержание РЕФЕРАТ

Пояснювальна записка: 106 с., 36 мал., 12 табл., 3 додатки, 29 джерел.
Об’єкт дослідження – активний шар лавинного фотодіода у вигляді шістнадцяти шарової надгратки на основі гетероструктур GaAs/AlXiGa1-XiAs.
Мета роботи – дослідження впливу інженерних параметрів активноі області лавинних фотодіодів на прозорість структури в цілому.
Метод дослідження –модулювання з використанням математичного апарату в квантовій механіки. Математичне моделювання проводилось з використанням математичного пакету Mathcad 11
Проведено дослідження прозорості структури активного шару лавинного фотодіода за відсутності зовнішнього електричного зміщення та під впливом зовнішнього поля.
Проведено економічне обгрунтування роботи, розроблені міроприємства по безпеці життя і діяльності людини.
ФОТОДІОД, ТУНЕЛЮВАННЯ, НАДГРАТКА, МОЛЯРНА ЧАСТКА, ПРОЗОРІСТЬ, ЕЛЕКТРОН, ЗОВНІШНЄ ПОЛЕ, ГЕТЕРОПЕРЕХІД, ПОТЕНЦІЙНИЙ БАР’ЄР.




РЕФЕРАТ

Пояснительная записка: 106 с., 36 рис., 12 табл., 3 приложения, 29 источников.
Объект исследования – активный слой лавинного фотодиода в виде шестнадцати слойной гетероструктуры на основе GaAs/AlXiGa1-XiAs.
Цель работы – исследование влияния инженерных параметров активной области лавинного фотодиода на прозрачность структуры в целом.
Метод исследования – моделирование с использованием математического аппарата в квантовой механике. Математическое моделирование проводилось с использованием математического пакета Mathcad 11.
Проведено исследование прозрачности структуры активного слоя лавинного фотодиода при отсутствии внешнего электрического смещения и под влиянием внешнего поля.
Проведено экономическое обоснование работы, разработаны мероприятия по безопасности жизни и деятельности человека.
ФОТОДИОД, ТУННЕЛИРОВАНИЕ, СВЕРХРЕШЕТКА, МОЛЯРНАЯ ДОЛЯ, ПРОЗРАЧНОСТЬ, ЭЛЕКТРОН, ВНЕШНЕЕ ПОЛЕ, ГЕТЕРОПЕРЕХОД, ПОТЕНЦИАЛЬНЫЙ БАРЬЕР.




ПЕРЕЧЕНЬ СОКРАЩЕНИЙ
В – вольт
эВ – электрон–вольт
БИС – большие интегральные схемы
СБИС – сверхбольшие интегральные схемы
ОПЗ – область пространственного заряда
ВАХ – вольт–амперная характеристика
ИМС – интегральные микросхемы
ВОЛС – волоконно- оптические линии святи
СВЧ – сверхвысокие частоты
РТД – резонансно-туннельный диод
КЯ – квантовая яма
ОДП – отрицательной дифференциальной проводимости
APD – лавинные фотодетекторы
КРС – квантово–размерная структура
НИЛ – научно–иследовательская лаборатория
КЕО – коэффициент естественного освещения
НИР – научно–исследовательская работа




СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ 6
1 СОВРЕМЕННЫЕ ФОТОДИОДЫ И ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИХ ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ 8
1.1 Фотодиод 10
1.2 Лавинный фотодиод 12
1.3 Особенности лавинных фотодиодов 17
1.4 Гетерофотодиоды 18
1.5 Туннельный диод 19
1.6 Резонансно-туннельный диод 21
1.7 Туннельный эффект 22
2 ЛАВИННЫЙ ФОТОДИОД С РЕЗОНАНСНЫМ ТУННЕЛИРОВАНИЕМ ЭЛЕКТРОНОВ 26
2.1 Характеристики фотодиода 26
2.2 Формирование энергетической диаграммы полупроводниковой структуры 38
2.3 Прозрачность сверхрешетки в стационарном состоянии и под действием внешнего поля 49
3 БЕЗОПАСНОСТЬ ЖИЗНИ И ДЕЯТЕЛЬНОСТИ ЧЕЛОВЕКА 61
3.1 Анализ условий труда в научно-исследовательской лаборатории 61
3.2 Техника безопасности в НИЛ 66
3.3 Производственная санитария и гигиена труда в НИЛ 68
3.3.1 Расчет искусственного освещения 68
3.4 Пожарная профилактика НИЛ 72
4. ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ 74
4.1 Характеристика дипломной работы 74
4.2 Определение трудоемкости НИР 74
4.3 Построение линейного графика выполнения НИР 75
4.4 Оценка удельного веса творческого труда по этапам НИР 79
4.5 Расчет себестоимости дипломной работы 80
4.6 Определение прибыли и договорной цены НИР 85
4.7 Оценка научной и научно-технической результативности работы 87
ВВЫВОДЫ 91
Перечень ссылок 93
Приложение А 96
Приложение Б 105
Приложение В 106




ВВЕДЕНИЕ

Вторая половина XX в. характеризуется революционными преобразованиями в электронике. Изменение представлений о ее развитии, в том числе оптоэлектроники, сопоставимо лишь с революцией в физике начала XX в., которая привела к принципиально новому пониманию микромира.
Во второй половине XX в. стало ясно, что современные требования в области информатики и связи невозможно обеспечить с помощью традиционных средств электроники, даже при наличии больших и сверхбольших интегральных схем (БИС и СБИС). Оптоэлектроника возникла как недостающее звено электроники, поскольку для представления, обработки и передачи информации использовала электронные и оптические методы и средства воздействия. Это дало возможность принципиального преобразования систем информации и связи.
Оптоэлектронные (фотонные) приборы и технологии обладали экономичностью, надежностью, технологичностью, быстродействием, долговечностью и миниатюрностью. Эти характеристики, отвечая запросам современного "информационного" общества, позволили оптоэлектронике занять прочное положение одного из ведущих направлений электроники
Оптоэлектроника является одним из самых актуальных направлений современной электроники. Оптоэлектронные приборы характеризуются широтой функционального использования, они успешно используются во всех звеньях информационных систем для генерации, преобразования, передачи, хранения и отображения информации. При создании оптоэлектронных приборов используется много новых физических явлений, синтезируются уникальные материалы, разрабатываются сверхпрецизионные технологии. Оптоэлектроника достигла стадии промышленной зрелости, но это только первоначальный этап, так как перспективы развития многих ее направлений практически безграничны.
Новые направления чаще всего возникают как слияние – интеграция – ряда уже известных достижений оптоэлектроники и традиционной микроэлектроники: таковы интегральная оптика и волоконно-оптические линии связи; оптические запоминающие устройства, которые опираются на лазерную технику и голографию; оптические транспаранты, использующие успехи фотоэлектроники и нелинейной оптики; плоские безвакуумные средства отображения информации и др.
Оптоэлектроника синтезирует достижения ряда областей науки и техники: полупроводниковой электроники, квантовой электроники, физики фотоэлектронных приборов, электрооптики, нелинейной оптики, волоконной оптики, голографии, ИК техники и светотехники.
Целью данной дипломной работы является исследование влияния инженерных параметров активной области лавинного фотодиода на прозрачность структуры в целом.
Список литературы ВЫВОДЫ

Целью данной дипломной работы является исследование влияния инженерных параметров активной области лавинного фотодиода на прозрачность структуры в целом. В качестве основного метода было выбрано решение уравнения Шредингера для частиц и квазичастиц. Для определения собственных значений энергии и волновой функции все постоянные и искомые величины энергии частички сводились в единые коеффициенты для каждого уравнения системы. Также проводилось исследование зависимости частот (длин волн) излучательных переходов многослойной сверхрешетки на основе гетероструктур GaAs/AlXiGa1-XiAs в зависимости от инженерных параметров структуры: ширины квантово-ограниченной области, ширины разделительного барьера и молярной доли алюминия в тройном твердом растворе замещения материала барьеров (как ограничивающих так и разделительного). Математическое моделирование проводилось с использованием математического пакета Mathcad 11, где исследовали прозрачности структуры активного слоя лавинного фотодиода при отсутствии внешнего электрического смещения и под влиянием внешнего поля.
В результате выполнения раздела ,,Безопасность жизни и деятельности человека ” в данной дипломной работе ,на примере НИЛ, были рассмотрены вопросы взаимодействия системы ,,человек – машина –среда”, проведен анализ условий труда, рассмотрены вредные и опасные факторы, имеющие место в данной комнате.
По доминирующему вредному фактору недостаточной освещенности было проведено углубленное рассмотрение вопросов техники безопасности, а именно расчет системы общего искусственного освещения.
Были рассмотрены вопросы производственной санитарии, гигиены труда в НИЛ. Кроме этого анализировались возможные причины возникновения пожаров. Приведен перечень мероприятий, проводимых для профилактики возникновения пожара в НИЛ, описаны применяемые средства пожаротушения и пожарной сигнализации, а также показано их местоположение на плане помещения. Был разработан маршрут эвакуации персонала в случае возникновения пожара из помещения НИЛ.
В результате выполнения технико-экономических расчётов НИР в разделе 4 произведено разбиение основных этапов выполнения работы на виды с указанием трудоёмкости, количества исполнителей, подразделения-исполнителя и продолжительности выполнения. В результате проведения расчетов установлена договорная цена НИР, которая составляет 8393,5 грн. Ожидается получение прибыли в размере 308,1 грн. С учетом НДС (20%) отпускная цена НИР составляет 10072 грн.
Качественная и количественная оценка научно-технической результативности НИР показала большую эффективность научной (0.64) значимости работы. Это позволяет сделать вывод о возможности продолжения исследований в области лавинных фотодиодов с резонансным туннелированием электронов.





ПЕРЕЧЕНЬ ССЫЛОК

1. Гельвич, Э. А., Физика и техника полупроводников / Е. И. Голант, А. Б. Пашковский, Э. А. Гельвич, В. Сазонов — Письма ЖТФ, 26 (13), 11 (2000).
2. Шалимова, К. В. Физика полупроводников / К. В Шалимова — М.; "Энергия", 1976 г.
3. Шишкина, Г. Г. Электронные приборы / Г. Г Шишкина — М.; "Энергоатомиздат", 1989 г.
4. Алферов, Ж.И., Физика полупроводников / С.В. Иванов, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.Э. Лученко, Ю.Я. Мельцер, М.И. Неменов, В.М. Устинов, С.В. Шапошников — ФТП, 24, 152 (1990).
5. Самохвалов, М.К., Конструкции и технология тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов / М. К. Самохвалов — Ульяновск, УлГТУ, 1997. – 56 с.
6. Машкевич, В.С., Кинетическая теория лазеров / В.С. Машкевич − М.: Наука, 1971. 472 с.
7. Машкевич, В.С., Основы кинетики излучения лазеров / В.С. Машкевич − К.: Наук. Думка, 1966. 235 с.
8. Зи, C. Физика полупроводниковых приборов / C. Зи − Т.2 М.Мир 1984.
9. Бурштейн, Э., Туннельные явления в твердых телах / Э. Бурштейн, С. Лундквист − М.Мир 1973 (статья Л.Эсаки).
10. Сивухин, Д.В., Курс общей физики / Д.В Сивухин − М.: Наука, т.5, ч.1 1988.
11. Гольдин, Л.Л., Введение в квантовую физику / Л.Л. Гольдин, Г.И. Новикова − М.: Наука 1988.
12. Fry, P.W., Phys. Rev / I.,E. Itskevich, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, J.J Finley,J.A. Barker, E.P. O'Reilly, L.P. Wilson, I.A. Larkin, P.A. Maksym, M. Hopkinson, M. Al-Khafaji, J.R.P. David, A.G. Gillis, G. Hill, J.C. Clark − Lett., 84, 733 (2000).
13. Сурис, Р.А. Материалы седьмой зимней школы по физике полупроводников / Р.А. Сурис // Журн. вычисл. математики и мат. Физики — (Л., 1975) с. 245.
14. Максимов, М.В., ФТП / Ю.М. Шерняков, С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, А.Ю.Егоров, − ФТП, 31, 670 (1997).
15. Соболев, М.М., Физика / И.В. Кочнев, В.М. Лантратов, Н.Н Леденцов − ФТП, 35, 1228 (2001).
16. Sobolev, M.M., Physica. / V.M. Lantratov, − B: Condens. Matter., 308-310, 1113 (2002).
17. Херман, М. Полупроводниковые сверхрешетки / М. Херман − М.: Мир, 1989. − 238 с.
18. Пащенко, А.Г. Влияние генерации и рекомбинации экситонов на статические характеристики инжекционных лазеров / А.Г Пащенко − Х.: Радиотехника. 1998. 105 с.
19. Пихтин, А. Н. Физические основы квантовой электроники и оптоэлектроники / А. Н. Пихтин − М.: Высш. шк., 1983. 304 с.
20. Фридрихов, С.А., Физические основы электронной техники / С.А. Фридрихов, С.М. Мовнин − М.: Высш. шк., 1986. 374 с.
21. Бондаренко, М.Ф. Прилади та пристрої квантової електроніки / М.М. Биков, М.І. Дзюбенко, О.Г. Пащенко, Ж.Ф. Пащенко, М.Ф. Бондаренко − Харків 2002. – 388 с.
22 Мартинес-Дуарт, Дж.М., Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники / , Р.Дж. Мартин-Палма, Ф.К. Агулло-Руеда Т.Є. М..Техносфера, 2007. – 368с.
23 Айвазов, В.А., Методичні вказівки до виконання розділу “Безпека життя і діяльності людини” у дипломних проектах (роботах) / Н.Л. Березуцька, Б.В. Дзюндзюк, А.В. Мамонтов, Т.Є. Стиценко − Харків: ХНУРЕ, 2003 р.
24 Сибаров, Ю.Г. Охрана труда в вычислительных центрах / Ю.Г. Сибаров − М. Машиностроение, 1985.- 185 с.
25 Навакатикян, О.О., Охорона праці користувачів комп’ютерних відеодисплейних терміналів / В.В. Кальниш, С.М. Стрюков – К., 1997. – 400 с.
26 Стороженко, А.В. Методические указания по экономическому обоснованию дипломных проектов для студентов всех форм обучения специальностей ЭПУ, ФБЭ, ЛОЭТ / А.В. Стороженко – Харьков: ХНУРЭ. 2003. – 20 с.
27 Бойчик, И.В. Экономика предприятий. Учебное пособие / И.В. Бойчик – Аттика 2004.-40.
28 Инновационный менеджмент: учебн. / под ред. С.Д. Ильенкова, Л.М. Гохберг, С.Ю. Ягудин – М: ЮНИТИ, 1999. – 327 с.
29 Маркетинг: учебн. / под ред. К. Ховард, Н.Д. Эриашвили, Б.А. Соловьев, Ю.А. Цыпкин – М.: ЮНИТИ, 1998. – 255 с.
Стоимость доставки работы, в гривнах:

(при оплате в другой валюте, пересчет по курсу центрального банка на день оплаты)		 300





Найти готовую работу


ЗАКАЗАТЬ

Обратная связь:


Связаться

Доставка любой диссертации из России и Украины

Вход для партнеров

Регистрация

Восстановить доступ

Материал для курсовых и дипломных работ


Ссылки:

Выполнение и продажа диссертаций, бесплатный каталог статей и авторефератов

Счетчики:

Besucherzahler
счетчик посещений

© 2006-2022. Все права защищены.
Выполнение уникальных качественных работ - от эссе и реферата до диссертации. Заказ готовых, сдававшихся ранее работ.