У нас уже 242733 рефератов, курсовых и дипломных работ
Заказать диплом, курсовую, диссертацию


Быстрый переход к готовым работам

Мнение посетителей:

Понравилось
Не понравилось





Книга жалоб
и предложений

 





Название ТЕМПЕРАТУРНА ЗАЛЕЖНІСТЬ РОБОЧИХ ХАРАКТЕРИСТИК БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРІВ
Количество страниц 43
ВУЗ СумГТУ
Год сдачи 2012
Содержание ЗМІСТ

ВСТУП…………………………………………………………………………………….3
РОЗДІЛ 1 БІПОЛЯРНІ ТРАНЗИСТОРИ ЯК ЕЛЕМЕНТИ МІКРОЕЛЕКТРОННОГО ПРИЛАДОБУДУВАННЯ………….…………………...5
1.1. Конструкція та принцип роботи біполярного транзистора……………..…………5
1.1.1. Загальна інформація і конструкція…………………………………………..5
1.1.2. Конструкція р-n-р – транзисторів …………………………………………...7
1.1.3. Принцип роботи біполярних транзисторів………………………………….9
1.1.4. Режими роботи транзистора………………………………………………...11
1.2. Схеми включення біполярних транзисторів………………………………………13
1.2.1. Схема із загальним емітером……………….................................................13
1.2.2. Схема із загальною базою………………......................................................15
1.2.3. Схема із загальним колектором………………………………………….…17
1.3. Вплив температури на роботу біполярного транзистора…………………………17
1.4. Схема і принцип функціонуваня вимірювального стенду…………………….…20
1.5. Результати експериментальних досліджень………………………………………21
РОЗДІЛ 2 ОХОРОНА ПРАЦІ ТА БЕЗПЕКА В
НАДЗВИЧАЙНИХ СИТУАЦІЯХ…………………………………………………….29
2.1. Характеристика лабораторії………………………………………………………29
2.2. Аналіз потенційно небезпечних та шкідливих факторів при вивченні впливу температури на робочі характеристики біполярних транзисторів…………………...32
2.3. Організаційна структура цивільної оборони підприємства,
установи і організації……………………………………………………………………36
2.4. Розрахунок природного освітлення… ……………………………………..…….42
ВИСНОВКИ……………………………………………………………………………..42
ЛІТЕРАТУРА…………………………………………………………………………...43



РЕФЕРАТ
Об’єктом дослідження магістерської роботи є температурна залежність статичних і динамічних характеристик біполярних транзисторів.
Мета роботи полягає у дослідженні впливу температури на статичні і динамічні характеристики біполярних транзисторів типу МП37Б та ГТ404В.
Аналіз вхідних та вихідних характеристик біполярних транзисторів типів МП37Б та ГТ404В вказує на те, що збільшення температури приводить до зсуву характеристик у бік більш високих струмів колектора. Проведена теоретична оцінка зміни струму колектора Iс при зміні температури від 20° до 70° С, показала, що: для досліджуваних транзисторів струм Iс змінюється на 80 мА і основний внесок у цю зміну вносить коефіцієнт передачі струму бази β. Також результати екпериментальних досліджень вказують на те, що навіть при не тривалій роботі транзисторів при критичних температурах, відбувається необратиме руйнування як окремих областей транзистора, так і самого p – n переходу, шо в свою чергу призводить до відхилення робочих характеристик від справочних.
Робота викладена на 47 сторінках, включаючи 20 рис., 6 таблиць, список цитованої літератури із 44 джерел.
КЛЮЧОВІ СЛОВА: БІПОЛЯРНИЙ ТРАНЗИСТОР, СТРУМ КОЛЕКТОРА, СТАТИЧНІ І ДИНАМІЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ВПЛИВ ТЕМПЕРАТУРИ, РОБОЧІ ХАРАКТЕРИСТИКИ.





ВСТУП

На сучасному етапі розвитку мікроелектроніки можливості застосування інтегральних мікросхем невпинно зростає. Безперервне удосконалення техніки і технології виробництва (створення нових технологій, нової схемної архітектури, зменшення мінімального топологічного розміру схем і елементів), поглиблення знань з фізики роботи приладів, розроблення нових схем, систем і засобів проектування зумовило швидке зростання продуктивності виробництва й зменшення вартості мікросхем, що у свою чергу дало можливість створити інтегровані мікросхеми вищого ступеня інтегрованості та розширити сфери застосування.
Біполярні транзистори як одні із основних елементів напівпровідникових інтегрованих мікросхем, широко використовуються у мікроприладобудуванні у якості керованих джерел, підсилювачів та перемикачів постійного, змінного або імпульсного струму. Підсилення в транзисторі відбуваеться завдяки тому, що відносно невеликі зміни струму бази або напруги між базою та емітером можуть спричинити значні зміни струму між емітером і колектором.
Структура біполярного транзистора відрізняється від структури дискретного тим, що має спеціальні ізоляційні області для забезпечення умов його нормального функціонування в одному кристалі, який може налічувати порядка 106 біполярних транзисторів.
Головним обмеженням темпів розвитку біполярної технології залишаеться проблема споживаної потужності і, як наслідок – проблема відведення тепла, так як тепло негативно впливає на роботу биполярних транзисторів.
Мета роботи полягала в дослідження впливу температури на робочі характеристики біполярних транзисторів різних типономіналів і функціонального призначення.
Список литературы ВИСНОВКИ

1. У роботі розглянуті питання щодо впливу температури на експлуатаційні параметри та робочі характеристики біполярних транзисторів з прямою провідністю. Показано, що вплив температури на роботу транзисторів обумовлений трьома фізичними факторами: зменшенням потенційних бар'єрів у переходах, збільшенням теплових струмів переходів і збільшенням коефіцієнтів передачі струмів з ростом температури
2. У процесі експериментального дослідження транзисторів МП37Б та ГТ404В було встановлено, що вплив температури приводить до підвищення струмів колектора в десяткі разів. КОНКРЕТНО ДЛЯ КОЖНОГО ТИПУ ТРАНЗИСТОРА НАПИШИ
3.Результати екпериментальних досліджень вказують на те, що в інтервалі температур 20˚ – 75 ˚С. величина струму колектора збільшується на 80 мА. Показано, що при роботі транзисторів в інтервалі критичних температур протягом незначного часу, відбувається безповоротня руйнація p-n переходу, що призводить до теплового пробою транзистора, або зміни його робочих характеристик.
4. Експериментально встановлено, що германієві транзистори потребують додаткової системи охолодження в схемах із загальним емітером і базою, тому що вони мають високу чутливість до дії на них температури, що вказує на низьку ефективність їх використання в надвисокоточних датчиках.
5. Проведено аналіз потенційно небезпечних та шкідливих факторів при вивченні впливу температури на статичні і динамічні характеристики біполярних транзисторів. Встановлено, що при роботі із лабораторним стендом виникають такі небезпечні фактории як дія електричного струму; електромагнітне випромінювання; пожежонебезпека; нагріті поверхні. Показано, що в приміщенні лабораторії використовується комбіноване освітлення, в якому частка загального освітлення складає не менше 5000 лк, що повністю відповідає нормам охорони праці.



ЛІТЕРАТУРА
1. Терешук Р.М. Справочник радіолюбителя/ Терешук Р.М., Терещук К.М., Седов С.А – Киев: Наукова думка, 1982. – 428 с.
2. Жеребцов И.П. Основи електроники – 5-е изд., перераб. и доп. – Л.: Энергоатомиздат/ Жеребцов И.П.- Ленингр. отд-ние, 1989. – 420 с.
3. Закалик Л.У. Основи мікроелектроніки/ Закалик Л.У., Ткачук Р.А - Тернопіль, 1998. - 380 с.
4.Прищепа М.М. Мікроелектроніка. Частина І. Елементи електроніки/ Прищепа М.М., Погребняк В.П. – Київ: Вища школа, 2004. – 431 с.
5.Прохорский А.А. Основы автоматики и телемеханіки/ Прохорский А.А - Москва: Высшая школа, 1988. - 290 с.
6. Абрамов В.М. Электронные приборы и устройства/ Абрамов В.М. - Москва: Транспорт. 1989. - 110 с.
7. Гуревич Б.М. Справочник по электронике для молодого рабочего/ Гуревич Б.М., Иваненко Н.С. – Москва: Высшая школа, 1987. – 60 с.
8. Аваев Н.А. Основы микроэлектроники/ Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т – Москва: Радио и связь, 1991. – 288 с.
9. Харченко В.М. Основы электроники/ Харченко В.М. - Москва: Высшая школа, 1982. - 352 с.
10. Ефимов И.Е. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность/ Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. - Москва: Высшая школа, 1986. -464 с.
11. Мазора Ю.Л. Радіотехніка: Енциклопедичний навчальний довідник/ Мазора Ю.Л., Мачуського Е.А., Правда В.І. – Київ: Вища школа, 1999. – 838 с.
12. Москатов Е. А. Основы электронной техники: учебное пособие / Москатов Е. А.- Ростов: Феникс, 2010.- 378 с
13. Бочаров Е.И. Электронные твердотельные приборы и микроэлектроника: / Бочаров Е.И., Гогоберидзе Г.Б., Першин Ю.М., Петров К.С. – Москва: Высшая школа, 2003. – 423 с.
14. http://uk.wikipedia.org ДАТА ВХОДУ: 27.03.2012 о 1.06
15. Кузнецов А.В. Аналоговая и цифровая электроника/ Кузнецов А.В., Палагута К.А.,Савостин П.И. – Москва: МГИУ, 2010. – 262 с.
16. http://transistor.dp.ua ДАТА ВХОДУ: 27.03.2012 о 3.26
17. Дулин В. Н. Электронные приборы / Дулин В. Н. Аваев Н. А., Демин В. П. – Москва :Энергоатомиздат, 1989. - 496 с.
18. Булычев А. Л. Электронные приборы / Булычев А. Л., Лямин П. М., Тулинов Е. С. – М.: Лайт Лтд., 2000. - 416 с.
19. Батушев В. А. Электронные приборы / Батушев В. А. – Москва: Высшая школа, 1980. - 383 с.
20. Бобровников Л.З. Электроника / Бобровніков Л.З. – С.-П.: Питер, 2004. – С. 52 - 55.
21 http://elektrouzel.ru Дата входу 29.03 о 2.25
22. Нефедов А.В. Отечественние полупроводниковие приборы и их зарубежные аналоги / Нефедов А.В., Гордеева В.И. – Москва: Радио и связь, 1986. – 101 с.
23. ДБН В. 2.5- 28-2006
24. ДСН 3.36.042-99 Санітарні норми мікроклімату виробничих приміщень
25. ГОСТ 12.1.019-79 ССБТ. Электробезопасность. Общие требования и номенклатура видов защиты.
26. ГОСТ 12.1.030-81
27. Кероване джерело постійного струму для проведення лабораторних досліджень.- Паспорт.
28. ОНТП 24-86
29. Атамашок В. Г. Гражданская оборона / Атамашок В. Г., Ширшев Л. Г., Акимов Н. И. - Москва: Высшая школа, 1986.
30. Владимиров В.А. Методика выявления и оценки рациональной обстановки при разрушениях (авариях) атомных электростанций. Владимиров В.А., Михеев О.С., Хмель С.И. и др. - М., 1989.
31. Губський А. І. Цивільна оборона. - К., 1995.
32. Демиденко Г.П. Защита объектов народного хозяйства от оружия масового поражения. Справочник. Демиденко Г.П., Кузьменко Э.П. и др. - К., 1989.
33. Деміденко Г.П., Захист об'є ктів народного господарства від зброї масового ураження. - К., 1996.
34. Депутат О. П. Цивільна оборона/ За редакцією B.C. Франка. Підручник. 2-ге вид., доп. Депутат О. П., Коваленко І. В., Мужик І. С. - Львів: Афіша, 2001.
35. Дія населення в надзвичайних ситуаціях. РІД ЦО і НС. - К., 1997.
36. Допустимі рівні вмісту радіонуклідів стронцію і цезію у продуктах харчування (ДР-97). МОЗ України. - К., 1997.
37. Загальні вимоги до розвитку і розміщення потенційно небезпечних виробництв з урахуванням ризику надзвичайних ситуацій техногенного походження. / Наукові керівники: член-кореспондент HАН України С.І.Дорогунцов і генерал-лейтенант В.Ф. Гречанінов. - К.: НАНУ, 1995.
38. Леігович Г.Г. Довідник з цивільної оборони. - К., 1999.
39. Методика прогнозирования масштабов заражения сильнодействующими ядовитыми веществами при авариях (разрушениях) на химически опасных объектах и транспорте (РД 52.04.253-90): М.: Росгидромет, 1991.
40. Мігович Г.Г. Сильнодіючі отруйні речовини. Мігович Г.Г., Рабчук О.Г. -К., 1999.
41. Організація проведення рятувальних робіт при стихійних лихах, аваріях і катастрофах. - М., 1990.
42. Попередження надзвичайних ситуацій / Під редакцією генерал-лейтенанта В.Ф. Гречанінова. - К., 1997.
43. Справочник по гражданской обороне. - M.; Воеииздат, 1978.
44. Справочные данные о чрезвычайных ситуациях техногенного, природного и экологического характера. В 3-х частях. - М., 1990.
45. СНіП 11-4-79
Стоимость доставки работы, в гривнах:

(при оплате в другой валюте, пересчет по курсу центрального банка на день оплаты)		 300





Найти готовую работу


ЗАКАЗАТЬ

Обратная связь:


Связаться

Доставка любой диссертации из России и Украины

Вход для партнеров

Регистрация

Восстановить доступ

Материал для курсовых и дипломных работ


Ссылки:

Выполнение и продажа диссертаций, бесплатный каталог статей и авторефератов

Счетчики:

Besucherzahler
счетчик посещений

© 2006-2022. Все права защищены.
Выполнение уникальных качественных работ - от эссе и реферата до диссертации. Заказ готовых, сдававшихся ранее работ.