ОДНОПЕРЕХІДНІ УЗАГАЛЬНЕНІ ПЕРЕТВОРЮВАЧІ ІММІТАНСУ ДЛЯ ДАВАЧІВ ФІЗИЧНИХ ВЕЛИЧИН ТА КОМПОНЕНТІВ ОБЧИСЛЮВАЛЬНИХ ПРИСТРОЇВ Бесплатно скачать, заказать диплом, курсовую, диссертацию

У нас уже 242733 рефератов, курсовых и дипломных работ

Сделать закладку на сайт

Заказать диплом, курсовую, диссертацию

Быстрый переход к готовым работам

Мнение посетителей:

Книга жалоб
и предложений

Название	ОДНОПЕРЕХІДНІ УЗАГАЛЬНЕНІ ПЕРЕТВОРЮВАЧІ ІММІТАНСУ ДЛЯ ДАВАЧІВ ФІЗИЧНИХ ВЕЛИЧИН ТА КОМПОНЕНТІВ ОБЧИСЛЮВАЛЬНИХ ПРИСТРОЇВ

Количество страниц	196

ВУЗ	Вінницький національний технічний університет

Год сдачи	2012

Бесплатно скачать	22683.doc

Содержание	Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України Вінницький національний технічний університет На правах рукопису БАРАБАН МАРІЯ ВОЛОДИМИРІВНА УДК 621.314 ОДНОПЕРЕХІДНІ УЗАГАЛЬНЕНІ ПЕРЕТВОРЮВАЧІ ІММІТАНСУ ДЛЯ ДАВАЧІВ ФІЗИЧНИХ ВЕЛИЧИН ТА КОМПОНЕНТІВ ОБЧИСЛЮВАЛЬНИХ ПРИСТРОЇВ 05.13.05 – Комп’ютерні системи та компоненти Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук Науковий керівник Філинюк Микола Антонович, доктор технічних наук, професор Вінниця – 2012 ЗМІСТ ПЕРЕЛІК УМОВНИХ ПОЗНАЧЕНЬ…………………………………………….. 5 ВСТУП……………………………………………………………………………... 6 РОЗДІЛ 1 АНАЛІЗ СТАНУ СТВОРЕННЯ ДАВАЧІВ І КОМПОНЕНТІВ ОБЧИСЛЮВАЛЬНИХ ПРИСТРОЇВ З ВИКОРИСТАННЯМ ОДНОПЕРЕХІДНИХ ТРАНЗИСТОРНИХ СТРУКТУР….....………………….. 13 1.1 Ключові схеми на основі одноперехідного транзистора………………. 13 1.2 Елементи пам’яті на одноперехідних транзисторних структурах…...... 14 1.3 Детектори та зчитувачі на основі польових транзисторів……..………. 16 1.4 Підсилювачі та модулі, як базові елементи детекторів з використанням польових транзисторів……..……………………..………… 19 1.5 Сенсори із застосуванням одноперехідних та польових транзисторів…………………………………………………………………… 23 1.6 Генератори на основі одноперехідного транзистора, як базові елементи сенсорів……………………………………………………………. 30 1.7 Логічні елементи, активні індуктивності та перетворювачі іммітансу на одноперехідних транзисторних структурах…………………………….. 35 1.8 Висновки та формування задач досліджень…………………………….. 40 РОЗДІЛ 2 РОЗРОБКА МАТЕМАТИЧНОЇ МОДЕЛІ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ УЗАГАЛЬНЕНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ ІММІТАНСУ НА ОДНОПЕРЕХІДНИХ ТРАНЗИСТОРНИХ СТРУКТУРАХ……………………. 41 2.1 Обґрунтування фізичної еквівалентної схеми та фізичних процесів одноперехідної транзисторної структури………………………………...…. 41 2.2 Розробка математичних моделей узагальнених перетворювачів іммітансу з використанням одноперехідної транзисторної структури….… 45 2.3 Дослідження узагальнених перетворювачів іммітансу на основі одноперехідної транзисторної структури.…………………………………... 51 2.4 Дослідження узагальненого перетворювача іммітансу на польовому транзисторі з керованим p-n-переходом при зміні полярності напруги на затворі…………………………………………………………………………. 57 2.5 Дослідження двопараметричних узагальнених перетворювачів іммітансу на основі одноперехідної транзисторної структури………….… 63 2.6 Оцінка похибок перетворення іммітансу однокристральних узагальнених перетворювачів іммітансу…………………………………… 71 2.7 Висновки до розділу 2...………………………………………………….. 82 РОЗДІЛ 3 ЗАВАДОСТІЙКІ КОМПОНЕНТИ ОБЧИСЛЮВАЛЬНИХ ПРИСТРОЇВ НА ОСНОВІ ОДНОПЕРЕХІДНИХ ТРАНЗИСТОРНИХ СТРУКТУР………………………………………………………………………… 83 3.1 Класифікація логічних елементів на основі одноперехідних транзисторних структур…………………….…………..…............................. 83 3.2 Формування таблиць перетворення іммітансу узагальнених перетворювачів іммітансу із застосуванням одноперехідної транзисторної структури……………………………………………………... 85 3.3 Метод схемно-функціональної побудови іммітансних логічних елементів з використанням одноперехідних узагальнених перетворювачів іммітансу……………………………………………………. 88 3.4 Розробка іммітансних тригерів …………………………………….…… 96 3.5 Обґрунтування завадостійкості компонентів обчислювальних пристроїв………………………………………………………………………. 98 3.6 Висновки до розділу 3……………………………………………………. 100 РОЗДІЛ 4 ДАВАЧІ ФІЗИЧНИХ ВЕЛИЧИН НА ОСНОВІ ОДНОПЕРЕХІДНИХ УЗАГАЛЬНЕНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ ІММІТАНСУ. 102 4.1 Обґрунтування структури та вимог до дистанційних давачів................ 102 4.2 Розробка та дослідження дистанційних давачів на базі одноперехідної транзисторної структури…………………………………………………….. 105 4.3 Розробка та дослідження індуктивного генераторного давача……… 118 4.4 Розрахунок завадостійкості давачів фізичних величин……………….. 123 4.5 Розробка та дослідження реактивних елементів та активних коливальних контурів, як базових вузлів давачів фізичних величин……... 125 4.6 Оцінка ефективності комбінованих керованих елементів з використанням однокристального узагальненого перетворювача іммітансу……………………………………………………………………… 142 4.7 Висновки до розділу 4……………………………………………………. 152 ВИСНОВКИ……………………………………………………………………….. 154 СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ…………………………………………. 156 ДОДАТКИ…………………………………………………………………………. 177 Додаток А Акти впровадження………….………………….….…………. 178 Додаток Б Дослідження двопараметричних узагальнених перетворювачів іммітансу на основі одноперехідних транзисторних структур……………. 181 Додаток В Порівняння параметрів розробленого дистанційного давача температури з існуючими аналогами……………………………………….. 193 Додаток Д Лістинг комп’ютерної програми………………………………… 194 ПЕРЕЛІК УМОВНИХ ПОЗНАЧЕНЬ АМ амплітудна модуляція БТ біполярний транзистор ВАХ вольт-амперна характеристика Г генератор ДЖ джерело живлення ДФВ давачі фізичних величин З1З2 затвор один, затвор два ЕРС електрорушійна сила ЕП елемент пам’яті КІМ кодово-імпульсна модуляція ККД коефіцієнт корисної дії ОТ одноперехідний транзистор ОТС одноперехідна транзисторна структура ПІ перетворювач іммітансу ПВП первинний вимірювальний перетворювач ПТ польовий транзистор ПТШ2 двозатворний польовий транзистор Шоттки СПФ смуго-пропускний фільтр УПІ узагальнений перетворювач іммітансу ЧМ частотна модуляція ЧсМ часова модуляція ВСТУП Актуальність теми Стрімкий розвиток сучасних технологій та елементної бази призвів до широкого різноманіття пристроїв обчислювальної та інформаційно-вимірювальної техніки. Проте часто отримання високих технічних характеристик досягається за рахунок збільшення їх складності, габаритів, маси та вартості. Необхідність вдосконалення пристроїв обчислювальної та інформаційно-вимірювальної техніки обумовлює подальшу розробку теорії побудови та пошук нових принципів їх фізичної реалізації. На сучасному етапі розвитку елементної бази до перспективних слід віднести пристрої з від’ємним диференційним опором, що пояснюється цілим рядом їх переваг. Елементи та пристрої, розроблені на основі пристроїв з від’ємним диференційним опором [1], дозволяють реалізувати технічні параметри, які не завжди досягаються на класичній елементній базі. Пристрої з від’ємним диференційним опором також привертають увагу виробників своєю багатофункціональністю. Напрямок електроніки, пов'язаний з теорією та практикою створення і використання пристроїв з від'ємним опором отримав назву “Негатроніка”. Використання досягнень негатроніки вже в даний час дало результати, які визначають розвиток ряду електронних систем. Тільки напівпровідникових негатронів створено більше двох десятків різновидів. Серед них надвисокочастотні потужні генераторні лавинно-прольотні діоди, надшвидкодіючі ключі на лавинних транзисторах, надпотужні напівпровідникові струмові перемикачі на динисторах і тиристорах, тощо [1]. Значний склад в розвиток цього напрямку внесли І. Д. Абезгауз, Ф. Бенінг, Д. Ганн, С. А. Гаряінов, В. П. Дьяконов, Л. Есакі, Ф. Д. Касімов, В. М. Кичак, П. А. Молчанов, О. В. Осадчук, В. С. Осадчук, В. Рід, В. І. Стафєєв, Л. Н. Степанова, А. С. Тагер, М. А. Філинюк, У. Шоклі та інші. В публікаціях цих вчених узагальнено результати, як теоретичних так і практичних досліджень різноманітних видів пристроїв з від'ємним опором і їх застосування. Поява нових напівпровідникових структур відкриває нові можливості створення пристроїв з покращеними параметрами. Однією із таких структур є одноперехідний транзистор. Однак аналіз публікацій з його застосуванням показав, що він в основному використовуються в “класичному” режимі аналогового ключа, а дослідження потенційної нестійкості в різних схемах включення – відсутні. Дослідження одноперехідного транзистора як узагальненого перетворювача іммітансу відкриває нові можливості для реалізації пристроїв інформаційно-вимірювальної та обчислювальної техніки з покращеними параметрами. Давачі фізичних величин та компоненти обчислювальних пристроїв знаходять застосування в інформаційно-вимірювальній та обчислювальній техніці. До них висуваються вимоги технологічності, надійності, добротності та стабільності. Проте, досягнення високих експлуатаційних параметрів найчастіше призводить до збільшення енергоспоживання, підвищення вартості, зниження завадостійкості. Покращити технічні параметри давачів фізичних величин і компонентів обчислювальних пристроїв можна шляхом використання узагальнених перетворювачів іммітансу на основі одноперехідних транзисторних структур, що обумовлює актуальність даної теми. Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами Робота виконана на кафедрі проектування комп’ютерної та телекомунікаційної апаратури Вінницького національного технічного університету згідно з планом наукових досліджень Вінницького національного технічного університету та Міністерства освіти і науки, молоді та спорту України в рамках держбюджетних тем, де автор приймала участь як виконавець: “Аналіз і синтез RLC-негатронів на базі інжекційно-польових ефектів в багатоелектродних напівпровідникових структурах Шотткі та створення на їх основі високоефективних інформаційних пристроїв” (номер державної реєстрації 0108U000660); “Розробка теоретичних основ побудови та створення енергозберігаючих інформаційних пристроїв на базі багатопараметричних узагальнених перетворювачів іммітанса” (номер державної реєстрації 0111U001112). Мета і задачі дослідження Метою роботи є покращення технічних характеристик (підвищення добротності, завадостійкості, температурної стабільності, зменшення енергоспоживання) давачів фізичних величин та компонентів обчислювальних пристроїв за рахунок використання одноперехідних узагальнених перетворювачів іммітансу. Для досягнення поставленої мети в дисертаційній роботі розв’язуються такі задачі: 1. Розробка та дослідження математичної моделі узагальненого перетворювача іммітансу на основі фізичних процесів, що протікають в одноперехідному транзисторі на високих частотах, яка використовується для розробки базових вузлів давачів фізичних величин з підвищеною добротністю та температурною стабільністю. 2. Формування таблиць перетворення іммітансу узагальнених перетворювачів іммітансу на основі одноперехідної транзисторної структури, що забезпечує вдосконалення методу схемно-функціональної побудови давачів фізичних величин і компонентів обчислювальних пристроїв. 3. Розробка та дослідження завадостійких компонентів обчислювальних пристроїв на основі одноперехідних транзисторних структур. 4. Розробка та дослідження давачів фізичних величин, які мають зменшене енергоспоживання і підвищену завадостійкість. Об’єктом дослідження є процес перетворення інформаційних сигналів в спеціалізованих засобах обробки інформації з частотним представленням. Предметом дослідження є давачі фізичних величин та компоненти обчислювальних пристроїв на основі одноперехідних узагальнених перетворювачів іммітансу. Методи дослідження ґрунтуються на використанні: а) теорії матриць для розробки математичної моделі одноперехідного узагальненого перетворювача іммітансу; б) теорії комфорних відображень для дослідження імпедансних характеристик; в) теорії перетворювачів іммітансу для дослідження робочих параметрів чотириполюсників; г) теорії аналізу електричних схем для визначення основних параметрів елементів та пристроїв обчислювальної техніки на основі напівпровідникових структур; д) теорії планування експерименту та комп’ютерного моделювання для експериментальної перевірки отриманих результатів. Наукова новизна одержаних результатів У дисертаційній роботі отримано такі наукові результати: 1. Вперше отримано математичну модель фізичних процесів, що протікають в одноперехідному транзисторі на високих частотах, що дозволило отримати аналітичні вирази іммітансних параметрів узагальнених перетворювачів іммітансу на його основі, які використовуються для розробки базових вузлів давачів фізичних величин з підвищеною добротністю та температурною стабільністю. 2. Вдосконалено метод схемно-функціональної побудови давачів фізичних величин і компонентів обчислювальних пристроїв, який на відміну від існуючих, використовує одноперехідні узагальнені перетворювачі іммітансу, що забезпечує спрощення технічної реалізації та підвищення завадостійкості давачів фізичних величин і компонентів обчислювальних пристроїв. 3. Одержала подальший розвиток математична модель оцінки ефективності комбінованих керованих елементів з використанням одноперехідного узагальненого перетворювача іммітансу, яка на відміну від існуючих, враховує параметри узагальненого перетворювача іммітансу та двоелектродного керованого елементу, що дозволяє здійснювати порівняльну оцінку та визначати найкращий варіант комбінованого керованого елементу для підвищення ефективності пристроїв інформаційно-вимірювальних систем. Практичне значення одержаних результатів 1. Отримано практичні дані, що підтверджують достовірність аналітичних виразів перетвореного іммітансу двопараметричних узагальнених перетворювачів іммітансу на основі одноперехідної транзисторної структури. 2. Запропоновано методики розрахунку параметрів давачів фізичних величин, реактивних елементів та коливальних контурів, які можуть бути використані для їх інженерного розрахунку. 3. Розроблено та впроваджено електричні принципові схеми та топології давачів фізичних величин і компонентів обчислювальних пристроїв, що є основою для виготовлення даних пристроїв. 4. Розроблено та досліджено давачі фізичних величин, які на відміну від існуючих, не мають вбудованого джерела живлення, що забезпечує зменшення енергоспоживання в 1,5-2 рази. 5. Розроблено програмне забезпечення з розрахунку ефективності комбінованих керованих елементів, що дає можливість визначення найкращого комбінованого елементу. Основні результати роботи впроваджено на державному підприємстві науково-дослідного інституту "Гелій" (методики розрахунку параметрів давачів фізичних величин, реактивних елементів та коливальних контурів, їх електричні принципові схеми та топології; програмне забезпечення по розрахунку ефективності комбінованих керованих елементів), (м. Вінниця, акт від 13.06.2012 р.) та в навчальний процес кафедри проектування комп’ютерної та телекомунікаційної апаратури, Вінницького національного технічного університету при вивченні дисципліни "Основи негатроніки" (метод схемно-функціональної побудови давачів фізичних величин і компонентів обчислювальних пристроїв; математична модель фізичних процесів, що протікають в одноперехідному транзисторі на високих частотах; математична модель оцінки ефективності комбінованих керованих елементів), (м. Вінниця, акт від 12.06.2012 р.). Особистий внесок здобувача Основні положення і результати дисертаційної роботи отримані автором самостійно у Вінницькому національному технічному університеті. Особистий внесок у роботах, опублікованих у співавторстві: запропоновано нові схеми індуктивних сенсорів [2]; промодельовані коливальний контур та аналоги індуктивностей [3]; отримано математичну модель одноперехідного транзистора, промодельовані узагальнені перетворювачі іммітансу на основі отриманої математичної моделі [4]; проведено дослідження похибок конверторів іммітансу [5, 15]; промодельовані температурні залежності еквівалента індуктивності [6, 23]; отримано та досліджено метематичну модель оцінки ефективності комбінованих керованих елементів з використанням одноперехідного узагальненого перетворювача іммітансу [7, 22]; сформовано таблиці перетворення іммітансу двопараметричних та однопараметричних узагальнених перетворювачів іммітансу [8, 16, 19]; досліджено радіочастотний датчик витрат електричної енергії та розроблено його топологію [9]; досліджено генераторний датчик, розроблено його плату [10]; проведено аналіз інформаційних пристроїв на основі одноперехідних транзисторних структур [11]; досліджено іммітансні параметри польового транзистора при зміні полярності напруги на затворі [12]; досліджено параметри ПТШ2 при включенні його по схемі (З1З2) [13]; розроблено схеми радіочастотних датчиків [17, 20]; запропоновано концептуальну схему оптикоелектронного 2-х параметричного перетворювача іммітансу [18]; досліджено схеми іммітансних логічних елементів [21, 24]; розроблено схеми транзисторного еквівалента котушки індуктивності та напівпровідникової індуктивності [26, 31]; вдосконалено схему активного коливального контуру шляхом введення додаткового транзистора [27]; досліджено схеми реактивного елемента, генераторного сенсора [28, 29]; розроблено схеми радіочастотних логічних елементів [32-34]; покращено параметри логічних схеми [30, 35, 36]; досліджено електричні принципові схеми іммітансних RS-тригерів, дистанційного лічильника витрат електричної енергії, керованого імпедансного елемента та радіочастотного сенсора температури [37-41]; розроблено програмне забезпечення з розрахунку ефективності комбінованих керованих елементів [42]. Апробація результатів дисертації Основні положення дисертаційної роботи доповідались і обговорювались на міжнародних та регіональних конференціях, а саме: V Міжнародна науково-технічна конференція "Датчики, приборы и системы – 2009" (м. Ялта, 2009 р.); ІV, V Міжнародні науково-практичні конференції "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування-2009, 2011" (м. Вінниця, 2009 р., 2011 р.); Міжнародна науково-практична конференція "Інформаційні технології та комп’ютерна інженерія (ІТКІ-2010, 2011)" (м. Вінниця, 2010 р., 2011 р.); Х Міжнародна конференція “Контроль і управління в складних системах (КУСС-2010)” (м. Вінниця, 2010 р.); VІІ Міжнародна науково-практична конференція "Інтернет, освіта, наука-2010 (ІОН-2010)" (м. Вінниця, 2009 р.); 20-а та 21-а Міжнародні конференції "СВЧ техника и телекомуникационные технологии-2010 (Крымико 2010, 2011)" (м. Севастополь, 2010 р., 2011 р.); V Міжнародна конференція з оптоелектронних інформаційних технологій "Photonics-ODS 2010" (м. Вінниця, 28-30 вересня 2010 р.); VI Міжнародна науково-практична конференція "Новости научной мысли-2010" (м. Прага, 2010 р.); ІІ Всеукраїнська науково-практична конференція “Системный анализ. Информатика. Управление” (м. Запоріжжя, 2011 р.); 12 Міжнародна науково-практична конференція "Современные информационные и электронные технологии-2011" (м. Одеса, 2011 р.); ІІІ Міжнародна науково-практична конференція "Методи та засоби кодування, захисту й ущільнення інформації" (м. Вінниця, 2011 р.); 16-й Международный молодежный форум “Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке” (м. Харків, 2012), а також на звітних науково-технічних конференціях професорсько-викладацького складу, співробітників та студентів Вінницького національного технічного університету в 2007-2012 рр. Публікації. Основний зміст роботи опубліковано у 41-й науковій праці, в тому числі: 12 – статей (10 статей опубліковано у виданнях, що входять до переліку фахових видань) [2-13]; 12 – тез доповідей на науково-технічних конференціях різного рівня [14-25], 16 – патентів України на корисну модель [26-41]; 1 – свідоцтво на комп’ютерну програму [42]. Структура і обсяг дисертації. Дисертаційна робота складається зі вступу, 4-х розділів, основних висновків по роботі, переліку використаних джерел (177 бібліографічних посилань, 21 сторінка) та додатків (19 сторінок). Загальний обсяг роботи, в якому викладено основний зміст, складає 149 сторінок і містить 103 рисунки, 13 таблиць. Повний обсяг дисертації – 196 сторінок.

Список литературы	ВИСНОВКИ У дисертації проведено аналіз стану створення давачів і компонентів обчислювальних пристроїв на основі ОТС. Схеми на основі ОТ характеризується простотою, надійністю, низьким рівнем завад, широким діапазоном робочих температур, високою стабільністю частоти та низькою вартістю. При цьому основним недоліком ОТ є низьке значення граничної частоти, що призводить до обмеження функціональних можливостей пристроїв на його основі. Подолати цей недолік можна шляхом використання ОТС, які мають низькоомну область бази та працюють на високих частотах, що характерно для ПТ, який працює при прямому зміщенні затвору. В результаті огляду літератури виявлено відсутність досліджень властивостей ОТ як УПІ, а ці властивості відкривають нові можливості для реалізації давачів і компонентів обчислювальних пристроїв з підвищеною добротністю, температурною стабільністю, завадостійкістю та зменшеним енергоспоживанням. В роботі отримано такі наукові та практичні результати: 1. Вперше отримано математичну модель фізичних процесів, що протікають в одноперехідному транзисторі на високих частотах, що дозволило отримати аналітичні вирази іммітансних параметрів узагальнених перетворювачів іммітансу на його основі, які використовуються для розробки базових вузлів давачів фізичних величин з підвищеною добротністю та температурною стабільністю. 2. Вдосконалено метод схемно-функціональної побудови давачів фізичних величин і компонентів обчислювальних пристроїв, який на відміну від існуючих, використовує одноперехідні узагальнені перетворювачі іммітансу, що забезпечує спрощення технічної реалізації та підвищення завадостійкості давачів фізичних величин і компонентів обчислювальних пристроїв. 3. Одержала подальший розвиток математична модель оцінки ефективності комбінованих керованих елементів з використанням одноперехідного узагальненого перетворювача іммітансу, яка на відміну від існуючих, враховує параметри узагальненого перетворювача іммітансу та двоелектродного керованого елементу, що дозволяє здійснювати порівняльну оцінку та визначати найкращий варіант комбінованого керованого елементу для підвищення ефективності пристроїв інформаційно-вимірювальних систем. Розроблено програмне забезпечення з розрахунку ефективності комбінованих керованих елементів. 4. Отримано практичні дані, що підтверджують достовірність аналітичних виразів перетвореного іммітансу двопараметричних узагальнених перетворювачів іммітансу на основі одноперехідної транзисторної структури. Запропоновано методики розрахунку параметрів давачів фізичних величин, реактивних елементів та коливальних контурів. 5. Розроблено та досліджено базові елементи давачів фізичних величин на основі ОТС з покращеними технічними параметрами. Транзисторний еквівалент індуктивності, напівпровідникова індуктивність порівняно з аналогами індуктивностей на лавинному та складеному транзисторах мають удвічі більшу температурну стабільність і підвищену добротність за рахунок компенсації втрат від’ємним опором. Активний коливальний контур порівняно з пасивними радіочастотними коливальними контурами має в 2-6 раз підвищену добротність та забезпечує електронне керування резонансною частотою. 6. Розроблено та досліджено дистанційні давачі, які на відміну від існуючих, не мають вбудованого джерела живлення, що забезпечує в 1,5-2 рази зменшене енергоспоживання. Дистанційні давачі мають високу завадостійкість за рахунок слабкої залежності частотного сигналу до завад. 7. Розроблено та впроваджено електричні принципові схеми і топології давачів фізичних величин та компонентів обчислювальних пристроїв, що є основою для виготовлення даних пристроїв з покращеними параметрами. 8. Розроблено та досліджено компоненти обчислювальних пристроїв, які на відміну від існуючих мають підвищену завадостійкість. 9. Результати дисертаційної роботи впроваджено на державному підприємстві науково-дослідного інституту "Гелій" (м. Вінниця, акт від 13.06.2012 р.) та в навчальний процес кафедри ПКТА, ВНТУ при вивченні дисципліни "Основи негатроніки" (м. Вінниця, акт від 12.06.2012 р.). СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ 1. Филинюк Н. Краткий исторический обзор развития научного направления “Негатроника” / Николай Филинюк. – Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 1999. – № 3. – С. 38–43. 2. Negatron-based inductive sensors / Л. Б Ліщинська, С. В. Мірошникова, М. В. Барабан, М. А. Філинюк М.А. // Вісник Черкаського державного технологічного університету. Спецвипуск. – 2009. – С. 60–62 3. Ліщинська Л. Б. Інформаційні пристрої на основі одноперехідної транзисторної структури [Електронний ресурс] / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан // Наукові праці ВНТУ. – 2010. – № 1. – С. 1–5. – Режим доступу до журналу: http://praci.vntu.edu.ua/article/view/1040/87. 4. Ліщинська Л. Б. Дослідження узагальненого перетворювача іммітансу на базі одноперехідного транзистора від параметрів його фізичної еквівалентної схеми [Електронний ресурс] / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, Я. С. Рожкова // Наукові праці ВНТУ. – 2010. – № 2. – С. 1– 6. – Режим доступу до журналу: http://praci.vntu.edu.ua/article/view/1257/603. 5. Ліщинська Л. Б. Порівняльна оцінка похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, М. А. Філинюк // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2010. – № 6. – С. 87–92. – ISSN 1997-9266. 6. Дослідження температурної стабільності еквівалента індуктивності на основі одноперехідної транзисторної структури / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, Р. Ю. Чехместрук, М. А. Філинюк // Вісник національного технічного університету “ХПІ”. – 2011. – № 11. – С. 94–99. – ISSN 2079- 083х. 7. Ліщинська Л. Б. Ефективність комбінованих керованих елементів на основі однокристального узагальненого перетворювача іммітансу / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, М. А. Філинюк // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. – 2011. – № 1. – С. 69–75. 8. Ліщинська Л. Б. Синтез таблиць перетворення іммітансу двопараметричних УПІ на основі одноперехідної транзисторної структури / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан // Вісник Сумського державного університету. Технічні науки. – 2011. – № 2. – С. 94–100. – ISSN 1817-9215. 9. Полуактивный радиочастотный датчик контроля расхода электроэнергии / Л. Б. Лищинская, А. А. Лазарев, М. В. Барабан, М. А. Филинюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 2. – С. 3–7. – ISSN 2225-5818. 10. Індуктивний генераторний датчик на основі комбінованого динамічного негатрона / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, О. О. Лазарєв, М. А. Філинюк // Вісник Хмельницького національного університету. – 2012. – № 1. – С. 116–120. 11. Барабан М.В. Аналіз сучасних досягнень створення інформаційних пристроїв на основі одноперехідних транзисторних структурах [Електронний ресурс] / Барабан М.В., Філинюк М.А. // Наукові праці ВНТУ. – 2012. – № 2. – С. 1–10. – Режим доступу до журналу: http://www.nbuv.gov.ua/e-journals/vntu/2012_2/2012-2.files/uk/12mafuts_ua.pdf. 12. Ліщинська Л. Дослідження узагальненого перетворювача іммітансу на польовому транзисторі при зміні полярності напруги на затворі / Ліщинська Л., Барабан М., Філинюк М. // Вісник Тернопільського національного технічного університету. – 2012. – № 2 (66). – С. 174–180. – ISSN 1727-7108. 13. Ліщинська Л. Б. Узагальнена модель ПТШ2 при включені його по схемі (З1З2) / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, М. А. Філинюк. – Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. – 2008. – № 2. – С. 60–63. 14. Барабан М. Інформаційні пристрої на реактивних властивостях польових транзисторів / Марія Барабан // IV Міжнародна науково-технічна конференція “Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування”. Частина 1, 8–10 жовтня 2009 р. : тези доповідей. – Вінниця, 2009. – С. 69. 15. Порівняльна оцінка похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу [Електронний ресурс] / М. А. Філинюк, Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, Я. С. Рожкова // Х Міжнародна конференція контроль та управління в складних системах, 19–21 жовтня 2010 р. : тези доповідей – 2010. – С. 159. – Режим доступу до статті: http://mccs.vntu.edu.ua/mccs2010/materials/subsection_2.3.pdf. 16. Застосування концепції “нечіткого іммітансу” на етапі функціонального синтезу інформаційних пристроїв / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, Я. С. Рожкова, М. А. Філинюк // VII Міжнародна науково-практична конференція Інтернет освіта наука, 28 вересня – 3 жовтня 2010 р. : тези доповідей. – Вінниця : ВНТУ, 2010. – С. 368–371. – ISBN 978-966-641-377-5. 17. Радиочастотные датчики на базе обобщенных преобразователей иммитанса / Л. Б. Лищинская, М. В. Барабан, Я. С. Рожкова, Н. А. Филинюк // 20-я Международная конференция “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии”, 13-17 сентября 2010 г. : тезисы докладов. – Севастополь, 2010. – С. 971–972. 18. Барабан М. Оптикоелектронні 2-х параметричні перетворювачі іммітансу / М. Барабан, Л. Ліщинська // Фотоніка-ODS 2010 : V Міжнародна конференція з оптико електронних інформаційних технологій, 28–30 вересня 2010 р. : тези доповідей. – Вінниця: ВНТУ, 2010. – С. 194. – ISBN 978-966-641-378-2. 19. Лищинская Л. Б. Функциональный синтез информационных устройств на базе однокристальных ОПИ / Л. Б. Лищинская, М. В. Барабан, Я. С. Рожкова // VI Международная научно-практическая конференция “Новости научной мысли”, 27 октября – 5 ноября 2010 г. : тезисы докладов. – Прага : Наука и образование, 2010. – С. 10–14. – ISBN 978-966-8736-05-06. 20. Многопараметрические радиочастотные датчики / Л. Б. Лищинская, Е. В. Войцеховская, М. В. Барабан [и др.] // 12-я Международная научно-практическая конференция “Современны информационные и электронные технологии”, 23-27 мая 2011 г. : тезисы докладов. – Одесса, 2011. – С. 306. 21. Іммітансні логічні схеми підвищеної завадозахищенності / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, О. В. Войцеховська [та ін.] // ІІІ Міжнародна науково-практична конференція “Методи та засоби кодування, захисту та й ущільнення інформації”, 20-22 квітня 2011 р. : тези доповідей. – Вінниця : ВНТУ, 2011. – С. 200–201. – ISBN 978-966-641-406-2. 22. Критериальная оценка эффективности управляющих элементов на базе ОПИN / Л. Б. Лищинская, М. В. Барабан, Я. С. Рожкова [и др.] // V Міжнародна науково-технічна конференція “Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування”, 19-21 травня 2011 р. : тези доповідей. – Вінниця : ВНТУ, 2011. – С. 76–77. – ISBN 978-966-641-411-6. 23. Дослідження режимної стабільності еквівалента індуктивності на основі ОТС / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, Р. Ю. Чехместрук, М. А. Філинюк // ІІ Міжнародна науково-практична конференція “Інформаційні технології та комп’ютерна інженерія”, 26-27 травня 2011 р. : тези доповідей. – Харків : ХНЕУ, 2011. – С. 37–38. 24. Иммитансные логические схемы для сигнальных процессоров / Л. Б. Лищинская, М. В. Барабан, А. А. Лазарев, Н. А. Филинюк // 21-я Международная конференція “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии”, 12-16 сентября 2011 г. : тезисы докладов. – Севастополь, 2011. – С. 797–798. – ISBN 978-966-335-356-2. 25. Барабан М. Автономный радиочастотный датчик температуры / Мария Барабан // 16-й Международный молодежный форум “Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке”. Том 1, 17–19 апреля 2012 г. : тезисы докладов. – Харьков, 2012. – С. 51–52. 26. Патент України на корисну модель № 23904, (51) МПК (2006) G01R 27/28. Транзисторний еквівалент котушки індуктивності / М. А. Філинюк, І. В. Булига, С. В. Мірошникова, М. В. Барабан; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. – № 200701171; заявл. 05.02.2007; опубл. 11.06.2007, Бюл. № 8. 27. Патент України на корисну модель № 38679, (51) МПК (2006) Н03Н 11/00. Активний коливальний контур / М. А. Філинюк, М. В. Барабан, Л. Б. Ліщинська; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. – № 200808335; заявл. 20.06.2008; опубл. 12.01.2009, Бюл. № 1. 28. Патент України на корисну модель № 42867, (51) МПК (2009) Н03Н 3/00. Реактивний елемент / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, М. А. Філинюк; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. – № 200901538; заявл. 23.02.2009; опубл. 27.07.2009, Бюл. № 14. 29. Патент України на корисну модель № 50131, (51) МПК (2009) G01R 27/00. Генераторний сенсор / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, М. А. Філинюк; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. – № 200912677; заявл. 07.12.2009; опубл. 25.05.2009, Бюл. № 10. 30. Патент України на корисну модель № 50267, (51) МПК (2009) Н03К 19/20. Логічний елемент / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, М. А. Філинюк; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. – № 201000021; заявл. 11.01.2010; Опубл. 25.05.2010, Бюл. № 10. 31. Патент України на корисну модель № 49747, (51) МПК G01R 27/28 (2006.01). Напівпровідникова індуктивність / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, М. А. Філинюк; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. – № 200911676; заявл. 16.11.2009; Опубл. 11.05.2010, Бюл. № 9. 32. Патент України на корисну модель № 50278, (51) МПК (2009) Н03К 19/20. Радіочастотний логічний елемент / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, М. А. Філинюк; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. – № 201000346; заявл. 15.01.2010; опубл. 25.05.2010, Бюл. № 10. 33. Патент України на корисну модель № 51961, (51) МПК (2009) Н03К 19/00. Радіочастотний логічний елемент / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, М. А. Філинюк; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. – № 201000919; заявл. 29.01.2010; опубл. 10.08.2010, Бюл. № 15. 34. Патент України на корисну модель № 52662, (51) МПК (2009) Н03К 19/20. Радіочастотний логічний елемент / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, М. А. Філинюк; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. – № 201000005; заявл. 11.01.2010; опубл. 10.09.2010, Бюл. № 17. 35. Патент України на корисну модель № 51011, (51) МПК (2009) Н03К 19/20. Логічний елемент / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, М. А. Філинюк; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. – № 201000921; заявл. 29.01.2010; опубл. 25.06.2010, Бюл. № 12. 36. Патент України на корисну модель № 51012, (51) МПК (2009) Н03К 19/20. Іммітансний логічний елемент “АБО” / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, М. А. Філинюк; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. – № 201000922; заявл. 29.01.2010; опубл. 25.06.2010, Бюл. № 12. 37. Патент України на корисну модель № 51410, (51) МПК Н03К 3/42 (2006.01). Іммітансний RS-тригер / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, М. А. Філинюк; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. – № 201001814; заявл. 19.02.2010; опубл. 12.07.2010, Бюл. № 13. 38. Патент України на корисну модель № 51409, (51) МПК Н03К 3/42 (2006.01). Іммітансний RS-тригер / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, М. А. Філинюк; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. – № 201001810; заявл. 19.02.2010; опубл. 12.07.2010, Бюл. № 13. 39. Патент України на корисну модель № 54733, (51) МПК G01R 11/02 (2006.01). Дистанційний лічильник витрат електричної енергії / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, О. О. Лазарєв, М. А. Філинюк; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. – № 201004696; заявл. 20.04.2010; опубл. 25.11.2010, Бюл. № 22. 40. Патент України на корисну модель № 64354, (51) МПК (2011.01) Н03К 11/00. Керований імпедансний елемент / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, М. А. Філинюк; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. – № 201102999; заявл. 14.03.2011; Опубл. 10.11.2011, Бюл. № 21. 41. Патент України на корисну модель № 68886, (51) МПК (2012.01) G01R 27/00. Радіочастотний сенсор температури / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, О. О. Лазарєв, М. А. Філинюк; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. – № 201112879; заявл. 02.11.2011; опубл. 10.04.2012, Бюл. № 7. 42. Комп’ютерна програма “Ефективність керованих комбінованих елементів на основі одно кристального узагальненого перетворювача іммітансу” / М. В. Барабан, О. В. Войцеховська, Л. Б. Ліщинська [та ін.] // Свідоцтво про реєстрацію авторського права на твір № 42792. – К. : Державна служба інтелектуальної власності України. – Дата реєстрації: 19.03.2012 р. 43. Кобболд Р. Теория и применение полевых транзисторов / Р. Кобболд. – Ленинград: Энергия, 1975. – 304 с. 44. Изъюрова Г. И. Приборы и устройства промышленной электроники / Г. И.Изъюрова, М.С. Кауфман – М. : Высшая школа, 1975. 45. Філинюк М. А. Аналіз і синтез інформаційних пристроїв на базі потенційно-нестійких узагальнених перетворювачів імітанса / М. А. Філинюк. – Вінниця : ВДТУ, 1998. – 85с. 46. Філинюк М. А. Інформаційні пристрої на основі потенційно-нестійких багатоелектродних напівпровідникових структур Шотткі: монографія / М. А. Філинюк, О. М. Куземко, Л. Б. Ліщинська. – Вінниця: ВНТУ, 2009. – 274 с. 47. Дьяконов В. П. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах / В. П. Дьяконов – М. : СОЛОН-ПРЕСС, 2002. – 512 с. 48. Осадчук В. С. Напівпровідникові прилади з від’ємним опором / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук. – Вінниця : ВНТУ, 2006. – 162 с. 49. Патент Российской Федерации 2031554, МПК6 Н 05 В 39/02. Осветительное устройство / А. Н. Филиппов, А. С. Машков, Н. М. Пушкин; заявитель и патентообладатель Научно-исследовательский институт измерительной техники. – № 5054391/07 ; заявл. 14.07.92; опубл. 20.03.95. 50. Патент Российской Федерации 15432, МПК7 Н 02 J 7/10. Устройство для заряда аккумуляторной батареи / Г. Д, Лившин, Д. М. Ременик, В. П. Дмитриев, А. С. Меркулов ; заявитель и патентообладатель Общество с ограниченной ответственностью "КОСМОС-ЭНВО". – № 2000109049/20; заявл. 12.04.2000; опубл. 10.10.2000. 51. Патент Российской Федерации 1306435, МПК6 Н 02 Р 9/30. Тиристорный регулятор напряжения генератора переменного тока / А. В. Нечаев, А. Д. Рябов – № 3828578/07; заявл. 20.12.84; опубл. 10.09.99. 52. Патент 51719 України, МПК6 G 05 F 1/44. Пристрій для регулювання світлового режиму в пташниках / О. М. Берека, Е. Л. Жулай; заявник та патентовласник Національний аграрний університет. – № 99021126; заявл. 26.02.1999; опубл. 16.12.2002, Бюл. № 12. 53. Патент 60442 А України, МПК6 Е 21 В 43/25, E 21 B 47/12. Заглибний свердловинний пристрій / Ю. І. Курашко, М. М. Кліманський, А. Ф. Лазун заявник та патентовласник Інститут імпульсних процесів і технологій Національної академії наук України. – № 2002075822; Заявл. 15.07.02; Опубл. 15.10.03, Бюл. №10. 54. Ramkumar K. New static RAM cell based on the unijunction transistor // K. Ramkumar, M. Satyam // International Journal of Electronics. – 1990. – № 68 (2). – P. 195-199. 55. United States Patent, International Classes G11C 17/06. Non-linear conductor memory / Daniel R. Shepard, Nort Hampton – № 11/926,778; Filed. 29.10.2007; Publ. 30.04.2009. 56. United States Patent, International Classes G11C 11/56. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating / Nicholas H. Tripsas, Uzodinma Okoroanyanwu, Suzette K. Pangrle, Michael A. VanBuskirk – № 8,003,436; Filed. 23.04.2011; Publ. 03.12.2008. 57. United States Patent, International Classes G11C 11/56. Planar polymer memory device / Nicholas H. Tripsas, Matthew S. Buynoski, Okoroanyanwu Uzodinma, Pangrle Suzette K. – № 6,977,389; Filed. 02.06.2003; Publ. 20.12.2005. 58. Yoon S. Electrical characteristics of neuron oscillation circuits composed of MOSFETs and complementary unijunction transistors / S. M. Yoon, Y. Kurita, E. Tokumitsu, H. Ishiwara // Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers. – 1998. – № 37 (3 SUPPL. B). – PP. 1110–1115. 59. Ferroelectric neuron circuits with adaptive-learning function / H. Ishiwara, Y. Aoyama, S. Okada, Shimamura [and other] // Computers and Electrical Engineering. – 1997. – № 23 (6). – PP. 431–438. 60. United States Patent, International Classes G11C 11/56. Programmable resistance memory elem / Klersy; Pat – № 8,089,059; Filed. 11.11.2010; Publ. 03.01.2012. 61. United States Patent. Self-aligned memory cells and method for forming / Dennison; Charles H. – № 8,067,761; Filed. 20.10.2010; Publ. 28.11.2011. 62. United States Patent IPC8 Class A H01 L 218242FI. Dynamic random access memory having junction field effect transistor cell access device / Douglas B. Boyle – № 20120009743; Filed. 20.08.2008; Publ. 11.10.2011. 63. United States Patent. Spin transistor and magnetic memory / Inokuchi Tomoaki, Ishikawa Mizue, Sugiyama – № 7,956,395; Filed. 28.08.2008; Publ. 07.06.2011. 64. United States Patent. Memory device and method of making same / Wolodymyr Czubatyj, Tyler Lowrey, Sergey Kostylev – № 7,902,536; Filed. 28.07.2006; Publ. 08.03.2011. 65. United States Patent. Multi-chip module / Ralf Otremba, Josef Hoeglauer, Stefan Landau, Erwin Huber – № 7,872,350; Filed. 10.04.2007; Publ. 18.01.2011. 66. United States Patent. Memory cell including an emitter follower and emitter follower sensing scheme and method of reading data therefrom / Richard K. Chou, Damodar R. Thummalapally – № 7,843,721; Filed. 18.09.2008; Publ. 30.11.2010. 67. Detection of soft X-rays using semi-insulating GaAs detector / B. Zat'ko, F. Dubecký, P. Bohacek [and other] // Conference Proceedings - The 18th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM, 2010. – art. no. 5667023. – P. 219–222. 68. Electrical and spectroscopic characterization of 7-cell Si-drift detectors / K. Hansen, C. Reckleben, I. Diehl, E. Welter // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. – 2008. – № 585 (1-2). – P. 76–82. 69. A monolithic array of 77 silicon drift detectors for X-ray spectroscopy and gamma-ray imaging applications / C. Fiorini, M. Bellini, A. Gola, A. Longoni [and other] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2005. – № 52 (4). – P. 1165–1170. 70. A monolithic array of silicon drift detectors coupled to a single scintillator for γ-ray imaging with sub-millimeter position resolution / C. Fiorini, A. Longoni, F. Perotti, C. Labanti [and other] // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. – 2003. – № 512 (1-2). – P. 265–271. 71. Hard X-ray and Gamma-ray Imaging and Spectroscopy using Scintillators coupled to Silicon Drift Detectors / P. Lechner, R. Eckhard, C. Fiorini, A. Gola [and other] // High Energy, Optical, and Infrared Detectors for Astronomy III. – Marseille, France, 2008. – 10 p. 72. Silicon waveguide integrated germanium JFET photodetector with improved speed performanc / J. Wang, M. Yu, G. Lo [and other] // IEEE Photonics Technology Letters 23 (12). – 2011. – art. no. 5739506. – P. 765–767. 73. Development and evaluation of semi-insulating GaAs detectors in hot plasmas diagnostic / B. Zaťko, F. Dubecky, P. Bohacek [and other] // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 633 (SUPPL. 1). – 2011. – P. S131–S133. 74. A new approach to the readout of cryogenic ionization detectors: GeFRO / C. Cattadori, B. Gallese, A. Giachero [and other] // Journal of Instrumentation. – 2011. – № 6 (5). – art. no. P05006. 75. The cryogenic readout system with GaAs JFETs for multi-pixel cameras / Y. Hibi, H. Matsuo, H. Nagata, H. Ikeda [and other] // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 7854. – 2010. – art. no. 78541Z. 76. Superconducting THz camera with GaAs-JFET cryogenic readout electronics / H. Matsuo, Y. Hibi, T. Suzuki, M. Naruse [and other] AIP Conference Proceedings. – 2009. – № 1185. – P. 393–396. 77. Progress on GaAs cryogenic readout circuits for SISCAM [H. Nagata, J. Kobayashi, H. Matsuo, M. Fujiwara] Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. – 2006. – № 6275. – art. no. 627527. 78. SISCAM 32-ch cryogenic readout module with GaAs-JFET ASICs / H. Matsuo, Y. Hibi, H. Nagata, H. Ikeda [and other] // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 7741. – 2010. – art. no. 77412V. 79. Evaluation of cryogenic readout circuits with GaAs JFETs for far-infrared detectors / Okumura, Kenichi, Hosako, Iwao [and other] // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 4008. – 2000. – P. 1. 80. Cryogenic performance of a low-noise JFET-CMOS preamplifier for HPGe detectors / A. Pullia, F. Zocca, S. Riboldi, D. Budjas [and other] // IEEE Transactions on Nuclear Science 57 (2 PART 2). – 2010. – art. no. 5446495. – P. 737–742. 81. Allen Oh. L. Fabrication of a thermally isolated and pre-amplified transistor module with polyimide micro-wires for cryogenic detectors / Oh. L. Allen, C. Kelley R. // Journal of Low Temperature Physics (3-4 PART 2). – 2008. – № 151. – P. 1003–1008. 82. Development of cryogenic GaAs AC-coupled CTIA readout for farinfrared and submillimeter detectors / Hirohisa Nagata, Jun Kobayashi, Hiroshi Matsuo, Yasunori Hib [and other] // SPIE Digital Library. – 2008. – vol. 7020. – P. 1–10. 83. Cryogenic Digital Readout system with GaAsJFETs / Yasunori Hibi, Hiroshi Matsuo, Hirohisa Nagata, Hirokazu Ikeda [and other] // The 10th Workshop on SubmmWave Receiver Technologies in Eastern Asia. –Wuxi, China, 2009. – P. 1–13. 84. “32-channel Multi-Chip-Module” The Cryogenic Readout System for Submillimeter/Terahertz Cameras / Yasunori Hibi, Hiroshi Matsuo, Taishi Ookawa, Hirohisa Nagata [and other] // ISSTT. – 2011. – P. 95–99. 85. Fujiwara M. Performance of GaAs JFET at a cryogenic temperature for application to readout circuit of high-impedance detectors / M. Fujiwara, M. Sasaki // IEEE Transactions on Electron Devices. – 2004. – № 51 (12). – P. 2042–2047. 86. Азаров О. Д. Двотактні підсилювачі постійного струму для багаторозрядних перетворювачів форми інформації, що самокалібруються / О. Д. Азаров, В. А. Гарнага. – Вінниця : ВНТУ, 2011. – 156 с. 87. Патент України на корисну модель № 49814, (51) МПК (2009) Н03F 3/26. Двотактний симетричний підсилювач струму / О. Д. Азаров, С. О. Мельник, С. В. Богомолов, І. К. Ходжаніязов; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. – № 200912323; заявл. 30.11.2009; опубл. 11.05.2010, Бюл. № 9. 88. Патент України на корисну модель № 50245, (51) МПК (2009) Н03F 5/22. Двотактний симетричний підсилювач струму / О. Д. Азаров, О. В. Дудник, С. В. Богомолов; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. – № 200913621; заявл. 25.12.2009; опубл. 25.05.2010, Бюл. № 10. 89. Fabrication of cryogenic readout circuits with n-type GaAs-JFETs for low temperature detectors / H. Nagata, J. Kobayashi, H. Matsuo [and other] // Thirteenth International Workshop on Low Temperature Detectors. – Stanford, 2009. – 7 p. 90. Осадчук В. С. Сенсори тиску і магнітного поля. Монографія / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук. – УНІВЕРСУМ-Вінниця, 2005. – 207 с. 91. Викулина Л. Ф. Физика сенсоров температуры и магнитного поля / Л. Ф. Викулина, М. А. Глауберман. – Одесса: Маяк, 2000. – 156 с. 92. Гуменюк С. В. Интегральные полупроводниковые магнито чувствительные датчики / С. В. Гуменюк, Б. И. Подлепецкий // Зарубежная электронная техника. – 1989. – № 12(343). – С. 3–47. 93. Горти З. Ю. Мікроелектронні сенсорні пристрої магнітного поля. За редакцією З. Ю. Горти. – Львів: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001. – 412 с. 94. Преобразователи давления с частотным выходом на основе однопереходных транзисторов / Г. Г. Бабичев, Г. И. Гаврилюк, Э. А. Зинченко [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 3. – С. 48–51. 95. Кремниевый однопереходный тензотранзистор / Г. Г. Бабичев, С. И. Козловский, В. А. Романов, Н. Н. Шаран [и др.] – Журнал технической физики. – 2002. – № 4. – С. 66 – 71. 96. Converter of pressure with frequency output on the base of unijunction tenso-transistors / G. G. Babichev, G. P. Gavrylyuk [etc.] – Technology and design in electronic devices. – 2004. – № 3. – Р. 48–51. 97. Викулин И. М. Фотоприемник на основе однопереходного и полевого транзисторов / И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, В. А. Мингалев // Sensors Electronics and Microsystems Technologies. – 2006. – № 4. – P. 28–30. 98. Фотоприемник на основе однопереходного транзистора и фотодиода / И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, С. Н. Никифоров, М. И. Панфилов [и др.] Фотоэлектроника. О.: Астропринт, 2008. – № 17 . – С. 88–90. 99. Патент 20016 України, МПК6 H 01 L 31/10. Одноперехідний фототранзистор / І. М. Вікулін, Ш. Д. Курмашев, С. М. Никифоров, М. І. Панфілов; заявник та патентовласник Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова. – № u200606237; заявл. 05.06.06; опубл. 15.01.07, Бюл. № 1. 100. Датчики температуры на основе однопереходного и полевого транзисторов при радиационном воздействии / И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, П. Ю. Марколенко [и др.] // Sensors Electronics and Microsystems Technologies. – 2009. – № 2. – P. 18–21. 101. Патент 49256 України, МПК6 H 01 L 29/82. Магніточутливий сенсор / І. М. Вікулін, Л. Ф. Вікуліна, Ш. Д. Курмашев; заявник та патентовласник Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова.– № u200910777; заявл. 26.10.09; опубл. 26.04.10, Бюл. № 8. 102. Патент 30179 А України, МПК6 G 01 K 13/00, A61B 5/02. Пристрій для реєстрації теплових властивостей шкіри / В. В. Логінов, В. Ф. Русяєв; заявник та патентовласник Кримський медичний університет ім. С. І. Георгієвського. – № 98010211; заявл. 15.01.1998; опубл. 15.11.2000, Бюл. № 6. 103. Патент 19977 України, МПК H 01 L 29/00. Одноперехідний тензотранзистор / І. М. Вікулін, Ш. Д. Курмашев, В. О. Мінгальов, С. М. Никифоров; заявник та патентовласник Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова.– № u200605556; заявл. 22.05.06; опубл. 15.01.07, Бюл. № 1. 104. Патент 53618 України, МПК6 H 01 L 9/04. Одноперехідний тензотранзистор / Ш. Д. Курмашев, І. М. Вікулін, Р. Г. Сидорець; заявник та патентовласник Одеський національний університетім. І. І. Мечникова.– № u201004826; заявл. 22.04.10; опубл. 11.10.10, Бюл. № 19. 105. Викулин И. М. Частотные микроэлектронные сенсоры на основе однопереходных транзисторов / И. М. Викулин, Л. Ф. Викулина, Ш. Д. Курмашев // 4-та Міжнародна науково-технічна конференція Сенсорна електроніка та мікросистемні технології, 28 червня – 2липня 2010 р. : тези доповідей. – О.: Астропринт, 2010. – С. 199. 106. Викулин И. М. Физика полупроводниковых приборов / И. М. Викулин, В. И. Стафеев – М.: Радио и свіязь, 1990. – 290 с. 107. Патент Российской федерации, МПК G05D23/24. Датчик-реле температуры / О. В. Новиков, А. О. Новиков – № 18000; Заявл. 13.04.2000; Опубл. 10.05.2001. 108. Патент Российской федерации, МПК G01K7/14. Электронный датчик температуры / И. М. Викулин, В. И. Гречан, И. Р. Халимов – № 2058019; Заявл. 04.09.1991; Опубл. 10.04.1996. 109. Патент Российской федерации, МПК G01P15/08. Устройство для измерения ускорений / В. М. Крылов, В. Л. Кузьмин, П. С. Гусев и др. – № 1840409; Заявл. 28.01.1988; Опубл. 20.11.2006. 110. Ch. S. Carrier domain magnetometer with frequency output / S. Ch., D. Nikolov / Sensor Letters. – № 2 (1). – P. 82–84. 111. A retrofit 60 Hz current sensor for non-intrusive power monitoring at the circuit breaker / Z. Clifford, J. Cooley, A.-T. Avestruz [and other] / Conference Proceedings - IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition – APEC, 2010. – art. no. 5433631. – P. 444–451. 112. Design, fabrication and characterization of pyroelectric thin film and its application for infrared gas sensors / TanQiu-lin, ZhangWen-dong, XueChen-yang, XiongJi-jun [and other] // Microelectronics Journal. – 2009. – № 40. – P. 58–62. 113. Tests of small X-ray active matrix pixel sensor prototypes at the national synchrotron light source / G. Carini, W. Chen, A. Dragone [and other] // Journal of Instrumentation. – 2009. – № 4 (3). – art. no. P03014. 114. Barillaro G. Modeling of porous silicon junction field effect transistor gas sensors: Insight into NO2 interaction / G. Barillaro, G. Lazzerini, L. Strambini. – Applied Physics Letters 96 (16). – 2010. – art. no. 162105. 115. Barillaro G. Tuning of the sensitivity of porous silicon JFET gas sensors / G. Barillaro, L. Strambini, G. Lazzerini // AIP Conference Proceedings 1137. – 2009. – P. 394–397. 116. Spectroscopic and imaging performance of DEPFET pixel sensors / J. Ulrici, S. Adler, P. Buchholz, P. Fischer [and other] // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. – 2001. – № 465 (1). – P. 247–252. 117. Chang C. C. An integrated pyroelectric infrared sensor with a PZT thin film / C. C. Chang, C. S. Tang // Sensors and Actuators, A: Physical. – 1998. – № 65 (2-3). – P. 171–174. 118. Шарапов В. М. Емкостные датчики уровня / В. М. Шарапов, К. В. Базило // Вісник Черкаського державного технологічного університету. – 2007. – № 3-4. – С. 184–187. 119. Шарапов В. М. Емкостные датчики с радиальными электродами. Методика расчета / В. М. Шарапов, К. В. Базило // Вісник Черкаського державного технологічного університету. – 2008. – № 2. – С. 71–73. 120. Strambini L. A power-saving approach for driving integrated FET gas sensors / L. Strambini, G. Lazzerini, G. Barillaro // Proceedings of IEEE Sensors. – 2011. – art. no. 6127119. – P. 1040–1043. 121. Шарапов В. М. Пьезоэлектрические датчики / В. М. Шарапов, М. П. Мусиенко, Е. В. Шарапова. – М. : Техносфера, 2006. – 632 с. – ISBN 5-94836-100-4. 122. Taranovich S. Piezoelectric sensors and signal-Conditioning front-End solutions: Part 1 of a multi-Part series of sensor articles / S. Taranovich. – Electronic Products (Garden City, New York). – 2011. – № 53 (8). 123. United States Patent. Nanosensors / Lieber, Charles M. Park, Hongkun Wei, Qingqiao Cui, Yi Liang – № 7,956,427; Filed. 02.06.2010; Publ. 07.06.2011. 124. Дьяконов В. П. Однопереходные транзисторы и их аналоги / В. П. Дьяконов. – М. : СОЛОН-ПРЕСС, 2008. – 240 с. – ISBN 978-5-91359-004-6. 125. Бутов А. Л. Генераторы звуковых эффектов на однопереходных транзисторах / А. Л. Бутов. – Радиоаматор. – 2005. – № 06. – 4 с. 126. Патент Российской Федерации 2087069, МПК6 H 03 K 3/351. Генератор импульсов / Иванов С. М., Сонин А. Ф., Тимофеев В. М. ; заявитель и патентообладатель Московский институт теплотехники.– № 3828578/07; Заявл. 12.04.94; Опубл. 10.08.97. 127. Філинюк М. А. Основи негатроніки. Прикладні аспекти / М. А. Філинюк. – Вінниця: УНІВЕРСУМ-Вінниця, 2006. – 306 с. 128. Salivahanan S. Electronic Devices and Circuits / S. Salivahanan, N. Suresh Kumar, A. Vallavaraj. – Tata McGraw-Hill, 2008. – 951 p. 129. Hasegawa Y. On rational phase-locking oscillations of a simple sawtooth oscillator with UJT / Y. Hasegawa, R. Tanaka, Y. Ueda. – International Journal of Bifurcation and Chaos in Applied Sciences and Engineering. – 2001. – № 11 (12). – P. 3003–3032. 130. Nurujjaman M. Coherence resonance in a unijunction transistor relaxation oscillator / M. Nurujjaman, P. Bhattacharya, A. Iyengar, S. Sarkar // Physical Review E – Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics. – 2009. – № 80 (1). – art. no. 015201. 131. Mats I. The logic elements "AND"/"OR" are established on the elements with punchthrough and deformation space charge regions / I. Mats. – NSTI Nanotechnology Conference and Trade Show, 2007. – Technical Proceedings 3. – P. 209-212. 132. Патент Российской федерации, МПК 5 H03K19/094. Логический элемент на нормально открытых полевых транзисторах / Ю. Ф. Адамов, Л. Н. Кравченко, А. Н. Соляков, А. И. Хлыбов, Ю. И. Щетинин. – № 1530059; Заявл. 28.12.1987; Опубл. 15.09.1994. 133. Патент Российской федерации, МПК 5 H03K19/094. Логический элемент на полевых транзисторах / Ю. Ф. Адамов, Л. Н. Кравченко, А. Н. Соляков, А. И. Хлыбов, Ю. И. Щетинин. – № 1530058; Заявл. 28.12.1987; Опубл. 15.09.1994. 134. Curtis Leifso. A Fully Integrated Active Inductor with Independent Voltage Tunable Inductance and Series-Loss Resistance / Curtis Leifso, James W. Haslett // IEEE Transaction microvave theori and techniques, vol. 49. – 2001. – № 4. – P. 671–676. 135. Hitoshi Hayashi. A Novel Broad-Band MMIC VCO Using an Active Inductor / Hitoshi Hayashi, Mashahiro Muraguchi. – Analog Integrated Circuits and Signal Processing. – 1999. – № 20. – P. 103–109. 136. Curtis Leifso. Monolithic Tunable Active Inductor with Independent Q Control / Curtis Leifso, James W. Haslett, John G. Mc. Rory // IEEE Transaction microvave theori and techniques, vol. 48. – 2000. – № 6. – P. 1024–1029. 137. Полупроводниковые аналоги реактивностей / А. Н. Серезнов, Л. Н. Степнова, О. Н. Негоденко, В. П. Путилин // М. : Знание., 1990. – 64 с. 138. Філинюк М. А. Активні УВЧ та НВЧ фільтри: монографія / М. А. Філинюк, Л. Б. Ліщинська. – Вінниця: ВНТУ, 2010. – 396 с. 139. Лазарев О. О. Аналіз схемотехнічних реалізацій негатронів на перетворювачах імпедансу / О. О. Лазарев, Л. Б. Ліщинська, О. В. Войцеховська. – Вісник ХНУ. – 2011. – № 6. – С. 49–55. 140. Lee T. H., “From Oxymoron to Mainstream: The Evolution and Future of RF CMOS” / T. H. Lee. – IEEE International Workshop, RFIT-Radio-Frequency Integration Technology Singapore, 2007. – Р. 1–6. 141. Masataka W. 0.10 um Ion-Implanted GaAs MESFETs with Low Cost Production Process / W. Masataka, F. Daiji, Y. Hiroshi, N. Shigeru // IEICE Tech. Rep., ED2007-31, June 2007. – vol. 107, no. 95. – Р. 1–5. 142. R. Lai. Sub 50 nm InP HEMT Device with Fmax Greater than 1 THz / R. Lai, X.B. Mei, W.R. Deal [and other] // IEDM 2007 : Electron Devices Meeting, IEEE International, 10-12 Dec. 2007. – P. 609–611. – ISBN: 978-1-4244-1507-6. 143. Узагальнені перетворювачі іммітансу на основі інжекційно-пролітної транзисторної структури із загальним витоком [Електронний ресурс] / Ліщинська Л. Б., Булига І. В., Шведюк А. Г., Філинюк Н. А. // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. – 2008. – № 2. Режим доступу до журн.: http://www.nbuv.gov.ua/e-journals/VNTU/2008-2/2008-2.files/uk/08lblsts_uk.pdf. 144. Спиридонов Н. С. Основы теории транзисторов / Н. С. Спиридонов– Техніка. – 1975. – 360 с. 145. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов / Я. А. Федотов. – М. : Сов. Радио, 1980. – 296 с. 146. Ліщинська Л. Б. Експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора / Л. Б. Ліщинська, А. Г. Шведюк, М. А. Філинюк. – Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2008. – № 6. – С. 137–140. 147. Данилин В. Н. Аналоговые полупроводниковые интегральные схемы СВЧ / В. Н. Данилин, А. И. Кушниренко, Г. В. Петров. – М. : Радио и связь, 1985. – 192 с. 148. Филинюк Н. А. Анализ ОПИ на основе полевых транзисторов / Н. А. Филинюк, М. М. Семеренко, под ред. И. Ф. Николаевского – Полупроводниковая электроника в техники электросвязи. – М. : Радио и связь, 1984. – Вып. 24. – С. 51–57. 149. Філинюк М. А. Аналіз і синтез інформаційних пристроїв на базі потенційно-нестійких узагальнених перетворювачів іммітанса / М. А. Філинюк – Вінниця: ВДТУ, 1998. – 85 с. 150. Leisfso C. A fully integrated active inductor with independent voltage tunable inductance and series-loss resistance / C. Leisfso, M. Haslett // IEE Transactions on Microwave. Theory and Techniques. – 2001. – Vol. 49, №4, – Р. 671–676. 151. Філинюк М. А. Метрологічні основи негатроніки. Монографія / М. А. Філинюк, Д. В. Гаврилов – Вінниця: УНІВЕРСУМ-Вінниця, 2006. – 188 с. 152. Ліщинська Л. Б. Визначення, класифікація і параметри багатопараметричних узагальнених перетворювачів іммітансу / Л. Б. Ліщинська. – Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2010. – № 5. – С. 105–108. 153. Соломатин Н. М. Логические элементы ЭВМ / Н. М. Соломатин. – М. : Высш. шк. – 1990. – 160 с. 154. Кичак В. М. Радіоімпульсні логічні елементи. Монографія / В. М. Кичак. – Вінниця : “УНІВЕРСУМ-Вінниця”, 1999. – 240 с. 155. Лішинська Л. Б. Імітансна логіка / Л. Б. Ліщинська, М. А. Філинюк. – Інформаційні технології та компютерна інженерія. – 2010. – № 2 (18). – С. 25–31. 156. Никитин В. А. Схемотехника интегральных схем ТТЛ, ТТЛШ и КМОП / В. А. Никитин. – Москва : НИЯУ МИФИ, 2010. – 64 с. 157. Белоус В. Схемотехнические методы повышения помехоустойчивости цифровых КМОП-микросхем / Виктор Белоус, Сергей Дроздов, Андрей Листопадов. – Компоненты и технологии. – 2012. – № 6. – С. 132–137. 158. О. Н. Негоденко Микроэлектронные датчики с частотным выходом на основе аналогов негатронов / О. Н. Негоденко, Ю. П. Мардамшин. – Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2000. – № 5–6. – С. 19–22. 159. Микроэлектронные преобразователи на основе негатронных элементов и устройств / Ф. Д. Касимов, Я. Ю. Гусейнов, О. Н. Негоденко, К. Е. Румянцев // Баку: ЭЛМ. – 2001. – 236 с. 160. Оптико електронний генераторний сенсор на базі двох параметричного УПІ / Л. Б. Ліщинська, Я. С. Рожкова, С. Є. Фурса, М. А. Філинюк // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. – 2010. – № 2(20). – С. 219–224. 161. Парфенов Ю. А. Кабели электросвязи / Ю. А. Парфенов. – М. : Эко-Трендз. – 2003. – 256 с. 162. Осадчук О. В. Мікроелектронні частотні перетворювачі на основі транзисторних структур з від‘ємним опором / О. В. Осадчук. – Вінниця : УНІВЕРСУМ–Вінниця, 2000. – 303 с. 163. Ліщинська Л. Б. Генераторні сенсори на базі негатронів / Л. Б. Ліщинська, С. В. Мірошникова, М. А. Філинюк. – Оптико–електронні інформаційно–енергетичні технології. – 2009. – № 2(18). – С. 42–46. 164. Лішинська Л. Б. Радіочастотні датчики дистанційного контролю стану об’єкту / Л. Б. Лішинська. – Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. – 2010. – № 4. – С. 27–37. 165. Філинюк М. А. Елементи та пристрої автоматики на основі нелінійних властивостях динамічних негатронів / М. А. Філинюк, О. В. Войцеховська. – Вінниця : УНІВЕРСУМ-Вінниця. – 2008. – 174 с. 166. Газовые анализаторы с частотным выходом / Ф. Д. Касимов, Н. А. Бабаев, О. Н. Негоденко, С. Н. Рагимов // Всесоюзная научно-техническая конференция “Приборы с отрицательным сопротивлением и интегральные преобразователи на их основе”, тезисы докладов. – Баку, 1991. – С. 52. 167. Осадчук В. С. Датчики освещенности на основе полупроводниковых структуры с отрицательным сопротивлением / В. С. Осадчук, А. В. Осадчук // Всесоюзная научно-техническая конференция “Приборы с отрицательным сопротивлением и интегральные преобразователи на их основе”, тезисы докладов. – Баку, 1991. – С. 90. 168. Филинюк Н. А. Разработка измерителя внутричерепного давления на основе транзисторного преобразователя импенданса / Н. А. Филинюк, С. Г. Лютворт, Н. И. Шанчук // Всесоюзная научно-техническая конференция ”Вопросы улучшения технических параметров универсальных электроизмерительных приборов”, тезисы докладов. – Житомир, 1979. – С. 304–306. 169. Vendelin G. D. Microwave circuit design using linear and nonlinear techniques / G. D. Vendelin, A. M. Pavio, U. L. Rohde. – Wiley Interscience. – 2005. – Р. 1057. 170. Кузьмин И. В. Основы теории информации и кодирования / И. В. Кузьмин, В. А. Кердус. – К. : Вища шк. Головное изд-во. – 1986. – 238 с. 171. Ионкин П. А. Синтез RC-схем с активными невзаимными элементами / П. А. Ионкин, В. Г. Миронов. – М. : Энергия, 1971. – 184 с. 172. Осадчук В. С. Индуктивный эффект в полупроводниковых приборах / В. С. Осадчук .– К. : Вища шк. Головное издательство, 1987. – 155 с. 173. Dill H.G. Inductive semiconductor element and their application in handpass amplifiers / H. G. Dill. – IRE Transactions on military electronics. – 1961. – V. MIL 5. – Р. 239–250. 174. Негоденко О. Н. Анализ входного импеданса однопереходного транзистора / О. Н. Негоденко, М. Ф. Пономарев. – Изв. вузов СССР. Радиоэлектроника. – 1971. – № 12. – С. 1433–1437. 175. Филинюк Н. А. Полупроводниковые индуктивности для СВЧ диапазона / Н. А. Филинюк, А. М. Куземко, Салех М. М. Журбан. – Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2006. – № 5. – С. 9–13. 176. Гусятинер М. С. Полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды / М. С. Гусятинер, А. И. Горбачев – М. : Радио и связь. – 1983. – 224 с. 177. Филинюк Н. А. Аналитические требования к критериям эффективности информационных устройств / Н. А. Филинюк, Ле Туан Ту, Р. А. Анфилов // Контроль і управління в технічних системах. – 1997. – Т. 2. – С. 56–62.

Стоимость доставки работы, в гривнах: (при оплате в другой валюте, пересчет по курсу центрального банка на день оплаты)	150

Скачать бесплатно	22683.doc

Найти готовую работу

ЗАКАЗАТЬ

Обратная связь:

Связаться

Вход для партнеров

Регистрация

Восстановить доступ

Материал для курсовых и дипломных работ

25.03.24 Іміджування в процесі функціонування державної влади

25.03.24 Політичний імідж як складова публічної взаємодії

25.03.24 Методологія сучасних іміджевих досліджень

Архив материала для курсовых и дипломных работ

Ссылки:

Счетчики:

© 2006-2022. Все права защищены.
Выполнение уникальных качественных работ - от эссе и реферата до диссертации. Заказ готовых, сдававшихся ранее работ.